一.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
1、采用三套獨(dú)立的電腦控制機(jī)械臂自動(dòng)化作業(yè)
2、采用第三代技術(shù),全面完善的防酸防腐措施,保護(hù)到機(jī)器每一個(gè)角落
3、全自動(dòng)補(bǔ)液技術(shù)
4、*的硅片干燥前處理技術(shù),保證硅片干燥不留任何水痕
5、成熟的硅片干燥工藝,多種先進(jìn)技術(shù)集于一身
6、彩色大屏幕人機(jī)界面操作,方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換
二.產(chǎn)品特點(diǎn)
晶圓清洗機(jī)具有以下特點(diǎn):
1、械手或多機(jī)械手組合,實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。
2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面,操作便利。
3、自動(dòng)上下料臺(tái),準(zhǔn)確上卸工件。
4、凈化烘干槽,*的烘干前處理技術(shù),工作干燥無(wú)水漬。
5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng),確保良好工作環(huán)境。
6、具備拋動(dòng)清洗功能,保證清洗均勻。
7、全封閉清洗均勻。
8、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng),確保良好工作環(huán)境。
三、晶圓清洗機(jī)工藝流程
自動(dòng)上料→去離子水+超聲波清洗+振動(dòng)篩拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)+溢流→自動(dòng)下料
四、晶圓清洗機(jī)應(yīng)用范圍
1、爐前清洗:擴(kuò)散前清洗。
2、光刻后清洗:除去光刻膠。
3、氧化前自動(dòng)清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、拋光后自動(dòng)清洗:除去切、磨、拋的沾污。
5、外延前清洗:除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面鈍化前清洗:除去鋁布線后,表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/div>
7、離子注入后的清洗:除去光刻膠,SiO2層。
8、擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗:除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。
9、CVD后清洗:除去CVD過(guò)程中的顆粒。
10、附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物