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NANO-MASTER NLD-4000 型等離子增強原子層沉積系統(tǒng)可以提供高品質(zhì)的薄膜沉積,通過配套 ICP 離子源系統(tǒng)可以支持 PEALD 和 T-ALD 等廣泛應(yīng)用。
眾多的優(yōu)勢配置,使得NLD-4000 型系統(tǒng)具有許多優(yōu)勢:
√ 超高的薄膜均勻性
√ 良好的粘附力
√ 超凈的沉積(高真空支持)
√ 出色的工藝控制
√ 高度的可重復性(計算機全自動工藝控制)
√ 易使用(可直接調(diào)用編好的工藝程序)
√ 運行可靠(所有核心組件均帶有保護)
√ 低維護(完整的安全互鎖)
√ 高、低溫基片樣品臺
√小的占地面積 26”x44”
√ 全自動工藝控制
客戶案例參數(shù):
Al2O3生長
案例表明:采用熱原子層沉積技術(shù),在6”晶圓片上生長 Al2O3(采用 TMA 和水),200℃溫度,分別使用 100個cycle(沉積速率 1.3Å)和 300 個cycle(沉積速率1.2Å),生長的膜厚分別為136 Å和360Å,膜厚均勻度分別為 0.36%和0.27%(6”晶圓范圍),折射率分別為1.68 和 1.67,可以實現(xiàn)非常高的均勻度和穩(wěn)定性。
GaN生長
案列表明:采用等離子輔助沉積技術(shù),在6”晶圓片上生長 GaN(采用GaCl3和N2等離子),400℃溫度,使用150個cycle(Cycle時間10s,脈沖時間60ms),生長的膜厚為244Å,膜厚均勻度分別為0.3%(6”晶圓范圍),可以實現(xiàn)非常高的均勻度和穩(wěn)定性。
01 產(chǎn)品優(yōu)勢之 ICP源
NANO-MASTER ICP 源為淋浴頭平面遠程離子源,均勻氣流分布、高離子密度(優(yōu)于1011)、低等離子溫度、低等離子勢能、低腔體占空比,使該系統(tǒng)具有等離子分布均勻、生長速率高、薄膜損傷低、Cycle時間快、薄膜純度高的優(yōu)勢。無石英視窗腐蝕問題。
02 產(chǎn)品優(yōu)勢之 工藝
通過我們的工藝和設(shè)備設(shè)計,對于氧化物和氮化物的生長,我們可以實現(xiàn)工藝時間減半,效率加倍。不用 NH3 可降低 H 摻雜,且不用處理 NH3 尾氣。
主要工藝優(yōu)勢如下:
√ 生長/周期:2.3Å/Cycle(可達到加倍的效率);
√ 膜厚偏差:優(yōu)于 0.37%;
√ 薄膜保形型:接近于 100%的階梯覆蓋率(三維鍍膜);
√ 兆分之一級的表面粗糙度(光學級別);
√ 短 Cycle 時間(效率加倍);
√ 超凈的沉積(前驅(qū)體切換更*);
√ 兼容百級超凈間使用;
√ 設(shè)計:熱工藝和等離子工藝可在小化的腔體空間內(nèi)完美完成;
√ 靈活性:在選擇材料和前驅(qū)體方面具有大的彈性(可支持任意尺寸和形狀);
√ 薄膜品質(zhì):通過渦輪分子泵進一步優(yōu)化雜質(zhì)去除,獲得更高品質(zhì)的高純薄膜;
√ 等離子源:平面的遠程 ICP 源設(shè)計,帶淋浴頭氣流分布;
√ 軟件:帶 Labview 軟件的全自動設(shè)計,直觀的界面,提供大的彈性和重復性,同時維持工藝的動態(tài)控制;
√ 占地面積:緊湊型設(shè)計,NLD-3500 僅 26”x26”,NLD-4000 僅 26”x44”
03 產(chǎn)品優(yōu)勢之 腔體設(shè)計
NANO-MASTER采用緊湊型優(yōu)化設(shè)計的13”陽極氧化鋁,帶一鍵式氣動升降頂蓋的腔體設(shè)計,使得該腔體在操作和維護方面具有非常便捷的優(yōu)勢,并且避免機械摩擦造成的腔門磨損問題。超凈的陽極氧化鋁腔體可以兼容百級超凈間使用。觀察視窗位于下腔體,可實時觀察腔體內(nèi)的等離子情況。
04 產(chǎn)品優(yōu)勢之 樣品臺
NLD-4000 可升級為帶 RF 的偏壓樣品臺,用于沉積前對基片的等離子預清洗,或用于腔體清洗。z高可加熱到 400℃并在整個樣片區(qū)域保持高均勻度,通過 PID 精確控溫維持溫度穩(wěn)定。如果選配 Auto L/UL,樣品臺可升級為帶頂針升降機制的樣品臺,可從預真空臂自動傳輸樣片。
05 產(chǎn)品優(yōu)勢之 真空系統(tǒng)(分子泵為選配)
NANO-MASTER磁懸浮渦輪分子泵,超低維護率,抽速可達 500L/Sec。采用真空直連設(shè)計,分子泵和腔體之間具有z佳的真空傳導率。系統(tǒng)可以在 8小時內(nèi)達到極限真空(3x10-7Torr),20 分鐘可達到 10-6Torr 量級的高工藝真空。系統(tǒng)通過計算機直接控制渦輪分子泵的渦輪速度,可以實現(xiàn)工藝腔體下游壓力的全自動調(diào)節(jié),快速穩(wěn)定。如無磁懸浮渦輪分子泵,系統(tǒng)配置真空泵,可以達到 50mTorr 的極限真空。
06 產(chǎn)品優(yōu)勢之 自動預真空室(選配)
預真空室有全自動上下片功能,支持單晶圓自動上下片,可以支持在不中斷工藝腔真空的狀態(tài)下連續(xù)處理。該功能可全自動實現(xiàn)包含自動進樣、自動對準、自動送出樣品,升降單元可實現(xiàn)快速定位,并且確保晶圓片跟樣品臺直接接觸,獲得z佳的溫度傳導率。自動預真空室包含步進電機線性驅(qū)動,氣動隔離門,70L/Sec 抽速的渦輪分子泵和 ISP-250型干泵,本底真空可達 5x10-6Torr,并配套獨立的 Inficon 全局真空計。自動上下載片配置使得熱基片在暴露大氣環(huán)境之前可在 N2 氣氛中冷卻,避免氧化。
07 產(chǎn)品優(yōu)勢之 ALD過濾器
NANO-MASTER NLD 系列的 ALD 系統(tǒng)均配置大面積的 ALD Filter,該過濾器可以吸收多余的沒有反應(yīng)掉的前驅(qū)體,無需額外處理前驅(qū)體的尾氣,一方面可以保護真空泵長期穩(wěn)定運行,另一方面可以大大節(jié)省后期的尾氣處理成本。
08 產(chǎn)品優(yōu)勢之 軟件控制
系統(tǒng)通過 Labview 軟件和 21”觸屏監(jiān)控屏幕提供友好的操作界面,通過計算機實現(xiàn)全自動的工藝控制,使得該 PEALD 系統(tǒng)具有高度的可重復性。*的安全互鎖,四級密碼授權(quán)訪問保護,包含:操作者(運行菜單)、工程師(獨立控制子系統(tǒng)及菜單開發(fā))、工藝工程師(編寫程序)、維護,菜單驅(qū)動。真空、氣流、分子泵速度、偏壓、閥門狀態(tài)等各工藝參數(shù)實時顯示。
Al2O3生長工藝界面
GaN生長工藝界面
09 產(chǎn)品優(yōu)勢之 前驅(qū)體安全氣柜
系統(tǒng)為前驅(qū)體配套獨立的手套箱安全氣柜,這在打開前驅(qū)體容器的手動閥時可提供額外的安全保護。
多可提供 7 路 50cc 容器,用于液態(tài)、固態(tài)、粉末等前驅(qū)體,帶電拋光不銹鋼氣體管路。對于液態(tài)容器z高可加熱到 200℃,管路和閥門可加熱到 130℃,帶 PID 精確溫度控制,通過計算機可設(shè)定加熱溫度。每路前驅(qū)體包含獨立的 ALD 脈沖閥、管路和閥門加熱器,及傳輸管路。
10 產(chǎn)品優(yōu)勢之 系統(tǒng)設(shè)計
系統(tǒng)提供緊湊型的設(shè)計,占地面積緊湊,性能出色,控制先進,全面的安全保障。先進的設(shè)計,確保了系統(tǒng)緊湊的同時維持了高品質(zhì)的性能。對于 4000 型系統(tǒng),左側(cè)為手套箱安全氣柜、氣路和真空相關(guān)的配置,右側(cè)為控制和儀表的配置。
11 產(chǎn)品優(yōu)勢之 影響力
Compound Semiconductor Journal 復合半導體期刊關(guān)于我們的 ALD 系統(tǒng)的報道:
Ammonia free ALD nitrides films 無氨 ALD 氮化物薄膜生長
GaN 和 AlN 通過 N2 等離子沉積,消除了對氨氣的依賴,對運行成本帶來很大的節(jié)省。由于處理氨氣要求工藝減排。
Paper Presented at the 2016 ICMCTF Conference 發(fā)布于 2016 年薄膜會議上的論文:
PE-ALD Deposition of GaN using GaCl3 and N2 on Si wafers
使用 GaCl3 和 和 N2在硅晶圓表面上通過等離子增強 ALD系統(tǒng)沉積 GaN
使用我們的 ALD 系統(tǒng)于 GaN 生長,我們已經(jīng)證明了可使用連續(xù)的N2等離子和單前驅(qū)體脈沖來實現(xiàn),或者以短的可能 Cycle 時間來實現(xiàn)。
生長的結(jié)果表明:
√ 在許多 Cycles 中保持線性
√ Cycle 時間和溫度之間互不影響
√ 膜厚為 2Å
以上所列的產(chǎn)品優(yōu)勢、NM專業(yè)嫻熟的技術(shù)研發(fā)團隊以及可靠及時的售后服務(wù)是NM產(chǎn)品質(zhì)量的保證。NLD-4000型原子層沉積系統(tǒng)在國內(nèi)外均有銷售,并且得到了客戶們的好評。NM將繼續(xù)用我們的實力、我們的專業(yè)、我們的誠意為您提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)。